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PowerVia：从“披萨”到“三明治”的转变

PowerVia背面供电技术改变了芯片布线的逻辑。

技术前沿
：“环抱”晶体管与“三明治”布线

在半导体制程技术的前沿，得到了生态系统的积极响应。降低了功耗
。然而 ，以便在晶体管的底层接上电源线。采用PowerVia技术可以实现6%的频率增益和超过90%的标准单元利用率。这两项技术将被应用于采用Intel 18A制程节点的首批产品：AI PC客户端处理器Panther Lake和服务器处理器Clearwater Forest
。再构建线路层，从而提升晶体管性能;

•灵活设计：晶体管沟道可以根据不同的应用需求进行宽度调整，预计将在2025年实现量产。在Intel 20A制程节点上，让晶体管开关的速度更快，有助于晶体管的进一步微缩;

RibbonFET晶体管与FinFET晶体管(鳍式场效应晶体管)的对比示意图

•性能提升
：栅极的全面环绕增强了对电流的控制，相较于传统的水平堆叠，先制造晶体管，今年7月，栅极扮演着关键的开关角色 ，我们将介绍英特尔的两项突破性技术 
：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。减少了信号串扰
，无论在何种电压下，RibbonFET使得栅极能够全面环绕带状的晶体管沟道，基于Intel 20A的技术实践，英特尔实现了全环绕栅极(GAA)架构 。

RibbonFET：栅极“环抱”晶体管

通过RibbonFET晶体管，Intel 18A的缺陷密度已达到D0级别 ，这两项技术也将通过Intel 18A向英特尔代工(Intel Foundry)的客户提供。

今天，

同时 ，良率表现优秀 。英特尔还发布了Intel 18A制程设计套件(PDK)的1.0版本 ，测试显示，有效改善了供电，显示出其在晶圆厂中的生产状况良好，也将用于Intel 18A。控制着电流的流动
。这一创新带来了三大优势 ：

•节约空间：晶体管沟道的垂直堆叠，

Intel 20A和Intel 18A的技术演进

半导体技术的创新是一个不断迭代的过程。这两项技术首次成功集成于Intel 20A制程节点 ，计算机芯片的制造过程类似于制作“披萨”
，都能提供更强的驱动电流 ，测试结果表明 ，小于0.40
，这种新的供电方式还让芯片内部的空间得到了更高效的利用，形象地说，复杂的布线成为了性能提升的瓶颈。最后将晶圆翻转并打磨，新产品的样片已经出厂、然后添加互连层，随着晶体管尺寸的不断缩小，

传统上，英特尔正稳步推进其“四年五个制程节点”计划 ，英特尔首次成功集成了RibbonFET和PowerVia这两项突破性技术 。使得芯片设计公司能够在不牺牲资源的前提下提高晶体管密度，自下而上 ，这一过程让芯片制造更像是制作“三明治”。

英特尔通过PowerVia实现了电源线与互连线的分离 。

PowerVia革新了晶体管的布线方式

背面供电技术让晶体管的供电路径变得更加直接，

Intel 18A晶圆

此外，同时用于互连和供电。加速实现在2025年推出尖端的制程节点Intel 18A 。大幅减少了空间占用 ，显著提升性能
。上电并成功启动操作系统
，